專業團隊 售后無憂(圖),10D511壓敏電阻器,壓敏電阻：

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預擊穿區：是指在此區域內，施加于壓敏電阻器兩端的電壓小于其壓敏電壓，其導電屬于熱激發電子電導機理。因此，壓敏電阻器相當于一個10MΩ以上的絕緣電阻，這時通過壓敏電阻器的阻性電流僅為微安級，可看作為開路。該區域是電路正常運行時壓敏電阻器所處的狀態。

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氧化鋅壓敏電阻器已廣泛應用于過電壓保護、浪涌吸收、過電流泄放等方面,是防護電氣電子設備因受雷電閃擊及其他瞬態電磁干擾造成傳導過電壓危害的有效器件,它的性能直接影響安全保護效果。因氧化鋅壓敏電阻在系統或設備運行中必然存在老化劣化現象,

故必須對其進行定期檢測,以防止老化劣化產品仍工作在系統或設備中。然而,目前檢測方法所判定的壓敏電壓U1mA和漏電流I

leakage兩個參數都存在拐點效應,即只有當MOV劣化到一定程度后,U1mA和Ileakage才會出現顯著變化;而在這個拐點之前U1mA和

Ileakage都符合SJ/T10349-93測試標準的要求[8],這就給檢測結果帶來不確定性。某個產品自身已經老化劣化到一定程度需要及時更換,但U1mA和Ileakage檢測值仍然合格。

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氧化鋅壓敏電阻的缺陷：

ZnO壓敏電阻器中的缺陷有正一價和正二價的Zni和Vo，負一價和負二價的

VZn ，正一價的DZn。VZn主要在晶界處，VZn為受主態，使晶粒表面形成一電子耗盡層而產生勢壘，約0.7eV。Zni容易遷移為亞穩態，是老化產生的根源所在。DZn可降低晶粒體的電阻，提高通流容量。Vo在氧不足的ZnO-x中量很少，主要存在于晶界中。高溫時原子運動加劇，在晶界中形成大量的VZn和Vo，但Vo在冷卻過程中容易從空氣中吸收氧而消失。

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